藍寶石晶棒是三氧化二鋁晶體，用來生產藍寶石基板

藍寶石晶棒的應用就是藍寶石的應用。只要我們知道它的性能，就能知道它應用在哪些方面。

藍寶石為六方晶格結構，很多特性便是由其晶向決定的。 通過外延晶膜生長，不同的晶向將呈現不同的晶格與目標材料匹配。 --藍寶石有一定的雙折射特性，特殊的結晶軸被用于一些光學領域，比如極化 基底：   --c型切面的藍寶石基底被用于生長III-V 與II-VI族沉積薄膜，比如氮化鎵，可以產出藍色的LED產品、激光二極管以及紅外線探測儀的應用。   --A型基底產生統一的電容率/介質，并且高度絕緣被應用于混合微電子技術中。高溫的超導體可由A型基底長晶產生。   --R型基底生長的不同沉積的硅料外延長晶，被應用于微電子集成電路。藍寶石由于其高電容率的特性，是混合基底的最佳選擇，例如在微波集成電路中的應用。此外，在對外延硅生長制膜的過程中，還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應用R型基底生長。   --M、A、R型均可生長非極性或半極性的氮化鎵。藍寶石作為商業產品仍然需要大量的研究提高氮化鎵磊晶的材料品質。 純度：   --藍寶石是一種絕緣材料，其半導體特性是由摻雜物質及雜質導致改變的。因此，大部分的純度控制不是因為對其基底材料的嚴格控制（硅料、砷化鎵、磷化銦…），而是由一些微量的摻雜物質改變其光學特性（顏色、光導范圍），這對于某些領域的應用是至關重要的（光學、軍事）。   --由于藍寶石的純度在應用于CMOS（互補金屬氧化物半導體）時對電性質及金屬表面交叉污染有強烈的影響，因此在SoS（藍寶石上硅大規模集成電路）的應用中亦至關重要。現在還沒有證明藍寶石純度對LED的應用有影響，SoS生產制造商將其特性歸結于藍寶石基底。 導模法（定邊膜喂法）： 加熱/熔化 →→→→放入籽晶/拉晶→→→→ 切割 --2米長100毫米寬的絲帶狀或9*26、12*20英尺的巨大藍寶石板狀 --管狀藍寶石超過65英尺長，或其他形狀 --藍寶石晶體通過不同的基底（A、R、C、其他）被拉伸為不同的晶向排列，主要應用于工業與機械制造業 --在惰性氣體（氮氣、氬氣）中其生長速度為1~5厘米/小時 --不同的晶體可以同時開始長晶（有時候可以超過20種）