藍寶石晶棒是三氧化二鋁晶體，用來生產藍寶石基板

藍寶石晶棒的應用就是藍寶石的應用。只要我們知道它的性能，就能知道它應用在哪些方面。

藍寶石為六方晶格結構，很多特性便是由其晶向決定的。 通過外延晶膜生長，不同的晶向將呈現(xiàn)不同的晶格與目標材料匹配。 --藍寶石有一定的雙折射特性，特殊的結晶軸被用于一些光學領域，比如極化 基底：   --c型切面的藍寶石基底被用于生長III-V 與II-VI族沉積薄膜，比如氮化鎵，可以產出藍色的LED產品、激光二極管以及紅外線探測儀的應用。   --A型基底產生統(tǒng)一的電容率/介質，并且高度絕緣被應用于混合微電子技術中。高溫的超導體可由A型基底長晶產生。   --R型基底生長的不同沉積的硅料外延長晶，被應用于微電子集成電路。藍寶石由于其高電容率的特性，是混合基底的最佳選擇，例如在微波集成電路中的應用。此外，在對外延硅生長制膜的過程中，還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應用R型基底生長。   --M、A、R型均可生長非極性或半極性的氮化鎵。藍寶石作為商業(yè)產品仍然需要大量的研究提高氮化鎵磊晶的材料品質。 純度：   --藍寶石是一種絕緣材料，其半導體特性是由摻雜物質及雜質導致改變的。因此，大部分的純度控制不是因為對其基底材料的嚴格控制（硅料、砷化鎵、磷化銦…），而是由一些微量的摻雜物質改變其光學特性（顏色、光導范圍），這對于某些領域的應用是至關重要的（光學、軍事）。   --由于藍寶石的純度在應用于CMOS（互補金屬氧化物半導體）時對電性質及金屬表面交叉污染有強烈的影響，因此在SoS（藍寶石上硅大規(guī)模集成電路）的應用中亦至關重要。現(xiàn)在還沒有證明藍寶石純度對LED的應用有影響，SoS生產制造商將其特性歸結于藍寶石基底。 導模法（定邊膜喂法）： 加熱/熔化 →→→→放入籽晶/拉晶→→→→ 切割 --2米長100毫米寬的絲帶狀或9*26、12*20英尺的巨大藍寶石板狀 --管狀藍寶石超過65英尺長，或其他形狀 --藍寶石晶體通過不同的基底（A、R、C、其他）被拉伸為不同的晶向排列，主要應用于工業(yè)與機械制造業(yè) --在惰性氣體（氮氣、氬氣）中其生長速度為1~5厘米/小時 --不同的晶體可以同時開始長晶（有時候可以超過20種）